富In条件下生长模式对AlInN晶体质量与光电性质的影响

项目名称： 富In条件下生长模式对AlInN晶体质量与光电性质的影响

项目编号： No.61176126

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 朱建军

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 70万元

中文摘要： 本项目通过衬底材料的选择和In 组份的控制引入定量失配应变，研究与失配、位错等相关的应力在生长模式调控中所起的重要作用；进而研究温度、压力等生长条件与生长模式之间的关系。同时，测试分析各种生长模式下得到的不同晶体质量的AlInN 外延材料的光学性质，研究斯托克斯位移的变化规律，揭示生长模式与外延层中V 型坑的密度、In 组份分布的不均匀性或相分离、外延层的宏观形貌以及微观结构之间的关系。最后，通过研究不同生长模式下制备的AlInN 材料中缺陷种类及其密度对材料光学和电学性能的影响，并与利用高能粒子辐照人为引入的缺陷进行对照分析，找到提高AlInN 材料的光学和电学性能的根本方法和技术。本项目的顺利完成，对从根本上提高AlInN 基以及InGaN 基发光器件和微电子器件的性能有重大意义。

中文关键词： AlInN；生长模式；缺陷；斯托克斯位移；离子注入

英文摘要：

英文关键词： AlInN；growth mode；defect；Stokes shift；Ion implantation