基于LBM模型的大尺寸高频放电装置的设计方法

项目名称： 基于LBM模型的大尺寸高频放电装置的设计方法

项目编号： No.51405261

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 机械、仪表工业

项目作者： 路益嘉

作者单位： 清华大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 集成电路的晶圆直径即将达到450mm节点，腔室的射频放电频率同时逐渐增加。晶圆尺寸和频率的增加给刻蚀/沉积的均匀性带来了新的挑战，趋肤效应、驻波效应以及高次谐波的存在产生了较大的刻蚀/沉积不均匀性，造成废片的增加。为了研究大尺寸晶圆腔室结构和工艺参数的设计方法，本文将对腔室内部的工艺气体放电过程进行建模。使用有限差分/有限体积方法对电子离子运动和电磁场方程进行建模，对中性气体流动使用格子玻尔兹曼方法进行建模，并依据时间尺度对各个过程进行耦合。以放电均匀性作为评价大尺寸腔室结构和工艺参数的指标，研究能够完善等离子体数密度径向分布非均匀性的腔室结构和工艺参数的设计方法。

中文关键词： 高频；流体模型；麦克斯韦方程组；洛伦兹约束；感性耦合等离子体

英文摘要： 450mm node of IC wafer diameter will be reached. The radio frequency of the chamber increases gradually at the same time. The increase of the wafer size and radio frequency bring new challenge to the uniformity of the etched depth/ deposition thickness. S

英文关键词： high frequency；fluid model；Maxwell's equations；Lorentz Gauge；CCP