基于相位偏折原理的高精度整场检焦方法研究

项目名称： 基于相位偏折原理的高精度整场检焦方法研究

项目编号： No.61204114

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 唐燕

作者单位： 中国科学院光电技术研究所

项目金额： 30万元

中文摘要： 提出了一种基于相位偏折原理的高精度整场检焦方法。该方法采用相位偏折原理，利用面结构光作为光源，通过解析变形条纹图获得基片表面梯度分布，完成对基片整场形貌的检测。打破了传统基于基片形貌测量的检焦方法中采用三角测量原理，利用点、线结构光扫描，通过测量光强变化获得基片形貌的检测思路。该方法具有高效率、高灵敏度、高信噪比等特点。本项目的成功研发将解决双工件台系统检焦技术中检测效率低、研制成本高、关键技术被国外企业垄断等诸多问题，为下一步我国高端光刻设备的自主研发提供技术支撑。

中文关键词： 光刻；检焦；相位偏折；莫尔条纹；

英文摘要： A method based on phase reflection is proposed to measure whole wafer map with high precision. This method is quite different from the traditional ones.The traditional methods use point or line structured light to measure the height of the wafer map from the light intensity, and reconstruct the whole wafer map by scanning.Howerver, the method poposed in this paper, use surface structured light to measure the gradiendt of the wafer map from the phase of deformed fring, and can reconstruct the whole wafer map by only once measurement.Compared with the traditional ones , this method can measure the wafer map with high efficient、high sensitive and high signal to noise ratio. The research of it can provide powerful support of lithography equipment development.

英文关键词： lithography；level sensor；phase reflectometry；moire fringe；