p型指数掺杂GaN光电材料的原子层沉积生长与阴极研制

项目名称： p型指数掺杂GaN光电材料的原子层沉积生长与阴极研制

项目编号： No.61405025

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王晓晖

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 25万元

中文摘要： GaN基紫外光电阴极由于其宽禁带、耐腐蚀、耐高压等特点在光电子器件研究中受到了广泛关注，并成为当下研究的热点。目前，难以提高p型GaN材料中的电子扩散长度已经成为制约其性能的关键因素。本项目提出了p型掺杂浓度沿材料厚度方向成指数变化的GaN光电阴极结构，相比之前均匀掺杂，此结构可以使GaN能带产生线性弯曲，并形成内建电场，使得光生电子可以同时在扩散和漂移两种机制作用下向材料表面输运，有效地提高了电子扩散长度；为了达到在纳米厚度的量级上对掺杂浓度进行精确控制，采用了原子层沉积技术进行p型指数掺杂结构GaN光电阴极材料的生长，解决了利用传统生长方法难以获得此结构的问题，最终提高了GaN紫外光电阴极的光电发射性能。这种高性能的指数掺杂GaN光电阴极在紫外探测、平板印刷等领域具有广阔的应用前景和重要价值。

中文关键词： 氮化镓；光电阴极；负电子亲和势；原子层沉积；Delta掺杂

英文摘要： GaN-based Ultraviolet photocathode attracts wide attention in the study of optoelectronic devices and becomes a hot topic of current research due to its wide band gap, corrosion resistance, high voltage, and other characteristics. Currently, it is difficu

英文关键词： GaN；Photocathode；Negative Electron Affinity；ALD；Delta-doping