大电流注入下GaN基LED中缺陷和异质界面载流子复合瞬态响应特性研究

项目名称： 大电流注入下GaN基LED中缺陷和异质界面载流子复合瞬态响应特性研究

项目编号： No.50902099

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 周桃飞

作者单位： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

项目金额： 20万元

中文摘要： 三族氮化物LED被认为是未来重要的绿色光源之一，但目前LED要取代日光灯照明将取決于其在效率、功率及成本等三大瓶颈之突破。其中人们在提高LED效率和功率的研发过程中遇到的关键制约就是大电流工作条件下各种非辐射复合机制的增强而导致发光效率下降。而对导致效率下降的关键非辐射复合机制，特别缺陷和异质界面在这种非辐射复合过程中的作用仍存在争议。本项目拟基于原子力显微镜导电模块发展一种新的局域电脉冲注入和不同波长的脉冲激光照射的瞬态测量技术，并结合时间分辨光谱研究大电流注入下GaN基LED中的缺陷和异质界面的载流子复合瞬态响应特性，通过测量载流子的产生、弛豫和复合时间、俄歇复合系数等，揭示俄歇复合、界面态隧穿等过程的动力学机制及其与材料物性、生长条件的关系，以及对LED效率的影响,从而为大功率LED研制提供新的设计思路。

中文关键词： 大功率氮化物LED；倒装焊；非辐射复合；发光效率；结温

英文摘要：

英文关键词： high power GaN-based LED；flip-chip bonding；nonradiation combination；luminescence efficiency；junction temperature