1.5-1.7微米波段宽调谐InAs/InP量子点外腔激光器的研究

项目名称： 1.5-1.7微米波段宽调谐InAs/InP量子点外腔激光器的研究

项目编号： No.61176065

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 龚谦

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 70万元

中文摘要： 宽调谐半导体外腔激光器是一种可应用于高速光纤通信、高分辨率光谱分析、计量检测、生物医学、环境监测、分子/原子光谱等领域的高质量光源。半导体量子点激光器和传统量子阱激光器相比在外腔激光器的应用上有两大优势，一是波长调谐范围可以成倍提高，二是在大范围调谐下工作阈值电流可以成倍降低。本项目首先研究宽增益谱InAs/InP量子点材料的GSMBE生长机理，获得1.5-1.7微米波段具备宽增益谱量子点的生长方法。然后利用InAs/InP量子点作为有源区研制具备宽增益谱的InAs/InP量子点激光器，并且针对外腔调谐系统优化激光器结构，提升器件性能。最终设计和研制具有宽调谐范围的高性能InAs/InP量子点外腔激光器。目标是解决量子点外腔激光器的关键技术问题，研制出1.5-1.7微米波段室温连续工作的InAs/InP量子点外腔激光器，波长调谐范围大于100nm，激光输出功率大于20mW。

中文关键词： InAs/InP 量子点；宽调谐激光器；外腔激光器；量子点激光器；半导体激光器

英文摘要：

英文关键词： InAs/InP quantum dot；tunable laser；external cavity laser；quantum dot laser；semiconductor laser