过渡金属掺杂的SnO2单晶纳米线的制备和磁性研究

项目名称： 过渡金属掺杂的SnO2单晶纳米线的制备和磁性研究

项目编号： No.50901037

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 池俊红

作者单位： 兰州大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 过渡金属掺杂的氧化物半导体是重要的自旋电子学材料，是实现在一种物质中同时利用电子的电荷和自旋进行信息的处理和存储这一应用的理想材料之一，因而在新型的逻辑器件、传感器、自旋晶体管等方面有很好的应用前景。纳米线作为一种低维纳米材料在构建电子器件方面具有巨大的优势。本项目拟采用化学气相沉积方法制备过渡金属掺杂的SnO2单晶纳米线，探索最佳制备工艺条件，获得具有室温铁磁性的单晶纳米线；利用X射线衍射、电镜、超导量子干涉磁强计、紫外-可见光谱仪等研究纳米线的微结构、磁性和光学性质；用核探针技术- - 核磁共振和穆斯堡尔效应研究纳米线中掺杂金属核位的超精细相互作用；研究制备工艺－微结构－宏观性能间的关系，探索稀释磁性半导体材料中铁磁性的起源，为制备有实用价值的具有优异磁、光性质的自旋电子学材料提供实验依据。

中文关键词： 稀释磁性半导体；单晶纳米线；自旋电子学；场效应管；核磁共振

英文摘要：

英文关键词： diluted magnetic semiconductor；single crystalline nanowires；spintronics；Field-effect transistor；NMR