SnO2纳米棒阵列/AlN/p-GaN异质结的制备及其紫外发光特性研究

项目名称： SnO2纳米棒阵列/AlN/p-GaN异质结的制备及其紫外发光特性研究

项目编号： No.11404248

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 付秋明

作者单位： 武汉工程大学

项目金额： 28万元

中文摘要： SnO2具有禁带宽度大、激子束缚能高的优点，在制造紫外发光二极管方面具有潜在的应用价值。然而“偶极禁阻”规则的束缚和不合适的能带偏移严重制约了SnO2异质结紫外发光二极管的光电性能。本项目拟以ZnO纳米棒阵列为模板制备纳米晶SnO2纳米棒阵列，通过对SnO2纳米棒的晶粒尺寸和表面形貌进行调控，研究晶粒尺寸和表面形貌对SnO2的紫外光发射性能的影响，探索晶粒尺寸和表面形貌的协同作用，从而打破“偶极禁阻”规则，实现紫外光发射；进一步引入AlN势垒层作为电子阻挡层构筑纳米晶SnO2纳米棒阵列/AlN/p-GaN异质结紫外发光二极管，研究AlN势垒层的晶体质量和厚度对异质结的载流子输运和紫外发光性能的影响，建立AlN势垒层的晶体质量和厚度的优化协同，提高异质结的紫外发光效率。上述问题的解决对于研究SnO2的紫外光发射机理具有重要的科学意义，对推动高效SnO2基紫外发光器件的发展具有重要的应用价值。

中文关键词： 偶极禁阻；紫外电致发光；氧化锡；核壳纳米棒阵列；激子局域

英文摘要： Due to the wide band gap and high exciton binding energy, SnO2 is considered to be a promising material for the realization of ultraviolet (UV) light-emitting diode. However, the dipole-forbidden rule and the unfavorable band offsets prohibit the band-edg

英文关键词： dipole-forbidden rule；UV electroluminescence；SnO2；core-shell nanorod arrays；exciton localization