He和H离子注入Si基材料引起的表面剥离及机理研究

项目名称： He和H离子注入Si基材料引起的表面剥离及机理研究

项目编号： No.10975107

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 刘昌龙

作者单位： 天津大学

项目金额： 42万元

中文摘要： 采用He和H离子联合注入到三类单晶Si片(纯单晶Si、含氧化层和含氮化层的单晶Si)中，一方面借助于扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)定量地研究联合注入引起的表面损伤效应及其对注入和热处理参数的依赖规律，另一方面使用透射电子显微镜(TEM)、可变能量的正电子湮灭谱仪(PAS)、二次离子质谱仪(SIMS)和双晶X射线衍射仪(XRD)等详细地分析注入产生的微观缺陷、气体原子分布及应力变化，从实验上揭示Si基材料中气体离子注入产生的微观缺陷与宏观表面损伤效应间的内在联系，进而探讨Si基材料中轻气体离子注入诱发表面剥离的微观机理。该研究不仅有助于深化认识气体离子与Si基材料相互作用的最基本过程，而且对于轻气体离子注入在现代Si半导体技术及新型功能复合材料制备中的实际应用奠定实验和理论基础。

中文关键词： Si基材料；气体离子注入；表面剥离；气泡及其生长；微观机理

英文摘要：

英文关键词： Silicon-based materials；Gas ion implantation；Surface exfoliation；Bubbles and growth；Physical mechanism