驱动有机发光二极管阵列的金属氧化物薄膜晶体管有源材料研究

项目名称： 驱动有机发光二极管阵列的金属氧化物薄膜晶体管有源材料研究

项目编号： No.51173049

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 有机高分子材料学科

项目作者： 彭俊彪

作者单位： 华南理工大学

项目金额： 65万元

中文摘要： 有机发光二极管（OLED）的应用是信息显示，如用于手机、电脑等方面。OLED是电流驱动型的，这要求驱动OLED晶体管的有源层有较高载流子迁移率，多晶硅薄膜可以满足这种要求，但是在降低成本和大面积制备工艺方面遇到困难，现迫切需要研究新的具有替代硅材料潜力的有源材料。金属氧化物（ZnO基）具有高的电子迁移率、制备成本低、储量丰富、环境友好、适合大面积制造等优点，是近年学术界热切关注、研究较多的材料，是未来规模应用驱动OLED的薄膜晶体管中有发展潜力的半导体材料，但目前这类材料面临电荷传输机制不清、电学性能不稳定等科学难题。这里重点研究新型金属氧化物材料和薄膜晶体管的制备，及其基本物理与化学特性，探索影响晶体管阈值电压和输出电流稳定性的物理机制，设计有应用前景的新材料体系，研究晶体管阵列与OLED集成器件结构，评价金属氧化物晶体管驱动OLED的潜力，为突破新型金属氧化物的显示应用奠定科学基础。

中文关键词： 薄膜晶体管；AMOLED；金属氧化物；稳定性；

英文摘要：

英文关键词： Thin-film transistor；AMOLED；Metal oxide；Stability；