弱外延生长制备有机半导体多晶薄膜

项目名称： 弱外延生长制备有机半导体多晶薄膜

项目编号： No.51133007

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 闫东航

作者单位： 中国科学院长春应用化学研究所

项目金额： 290万元

中文摘要： 弱外延生长是制备大面的高迁移率有机半导体多晶薄膜的一种工业技术技术，应用在平板显示领域。目前该技术实际应用遇到的主要问题是加工条件窗口窄。随着有机电子学的发展，有机光伏电池和有机传感器等技术也需要高迁移率和大面积的有机半导体多晶薄膜制备技术。本项目拟通过诱导层材料的电子结构、晶胞参数和固熔体诱导层的热力学与生长动力学研究，解决弱外延生长加工条件窗口窄的问题。同时，开展有机量子阱和超晶格研究，探索高功能和新功能有机半导体材料及其新型器件。

中文关键词： 弱外延生长；多晶薄膜；薄膜制备；；

英文摘要：

英文关键词： Weak epitaxy growth；crystalline thin films；thin-film fabrication；；