铁电体与宽禁带半导体异质结性质研究

项目名称： 铁电体与宽禁带半导体异质结性质研究

项目编号： No.10904116

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 吴昊

作者单位： 武汉大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 宽禁带半导体材料和铁电体材料是近年来功能材料中广受关注的两大热点。通过制备这两类材料组成的异质结，我们可以研究它们各自的性质，并可能开展出新的器件应用方向。本项目结合申请人在制备铁电体（多铁性）材料YMnO3(YMO)和宽禁带半导体材料GaN的异质结方面的研究基础，提出对YMO/GaN这种异质结的制备和性质进行进一步研究，并开展YMO作为中间层的p-I-n结构，开拓应用方向。申请人提出了一种全新的制备YMO/GaN异质结的方法，并发现这样生长的YMO层没有以前文献报道的晶格旋转产生，这种新的制备方法可以有效降低生长时的界面晶格失配和应力。申请人首次进行了铁电体材料与宽禁带半导体材料界面漏电机制的分析，得到的结果对于铁电体器件应用具有重要价值。申请人计划制备出YMO作为中间层的p-I-n结构，研究这种结构中电、磁、光等多种性质的耦合，以及由此带来的可能器件应用。

中文关键词： 铁电体；宽禁带半导体；异质结；；

英文摘要：

英文关键词： Ferroelectrics；wide-band gap semiconductors；heterostructure；；