晶体硅中过渡族金属沉淀的微结构研究

项目名称： 晶体硅中过渡族金属沉淀的微结构研究

项目编号： No.50902116

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 徐进

作者单位： 厦门大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 研究主要利用透射电镜，结合扫描红外显微镜(SIRM)来研究晶体硅中过渡族金属(铁，铜以及镍)杂质的沉淀机理以及形貌的精细结构：深入研究不同预处理气氛(氩气、氮气以及氧气)、点缺陷类型、轻元素杂质(碳、氮以及氧)浓度以及冷却速率对金属杂质在直拉单晶硅体内以及铸造多晶硅晶界上沉淀过程的影响；探讨金属沉淀在基体中产生的应力如何影响它的形态、密度和分布，以及在这个过程中沉淀如何通过与点缺陷的相互作用来释放应力，促进反应的不断进行；通过探讨晶体硅材料的力学各向异性，如弹性模量等，分析晶体硅物理性能参数与金属沉淀晶体学取向之间的关系；本课题的提出，主要研究晶体硅材料在器件工艺过程中引入的过渡族金属杂质的扩散、沉淀特性，对于理解金属杂质在晶体硅中的沉淀规律，实现金属杂质的可控沉淀，更好地应用于大规模集成电路制造以及太阳能光伏产业具有重要的科学意义和研究价值。

中文关键词： 硅；过渡族金属；点缺陷；洁净区；快速热处理

英文摘要：

英文关键词： silicon；transition metals；point defect；denuded zone；rapid thermal annealing