金属催化基于SiC单晶的石墨烯可控制备及其界面反应研究

项目名称： 金属催化基于SiC单晶的石墨烯可控制备及其界面反应研究

项目编号： No.50972010

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 袁文霞

作者单位： 北京科技大学

项目金额： 35万元

中文摘要： 石墨烯表现出许多非常奇异的性质，自它发现以来很快成为国际研究热点之一，但其高质量的可控制备仍是石墨烯研究领域的关键科学问题之一。本课题提出利用过渡金属催化作用实现SiC石墨化而制备石墨烯材料的新途径，拟从六方SiC单晶与超薄金属膜(Ni, Co, Pd, Pt)的界面选择性反应过程的物理化学问题入手，研究超薄金属膜在SiC界面上的反应机理；硅化物和碳层在界面中分布和形态；石墨烯的形成规律；外延石墨烯与SiC衬底的界面结构与键合方式；探讨退火温度、SiC晶面取向和极性、SiC表面缺陷（如错位、台阶边缘等）对界面反应机理和石墨烯层数影响；采用实验和分子动力学模拟相结合的方法，模拟超薄金属在SiC表面上的化学反应过程，寻求获得大面积连续石墨烯的最优条件，探索出一条高质量石墨烯可控制备的新途径。

中文关键词： 碳化硅；界面反应；石墨烯；制备；复合材料

英文摘要：

英文关键词： SiC；interface reaction；graphene；preparation；composite