倒装芯片无铅互连凸点的蠕变行为研究

项目名称： 倒装芯片无铅互连凸点的蠕变行为研究

项目编号： No.60976076

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 安兵

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 34万元

中文摘要： 在高密度面阵列电子封装中广泛使用了锡基合金焊料。由于大电流、高功率等因素的影响，在芯片与基板的互连结构中产生大量的焦耳热，引起互连结构温度的显著上升而产生较大的结构应力。在温度和应力作用下，凸点发生蠕变，同时其组织和成分在一定条件下发生改变，降低了凸点互连结构的可靠性，最终导致互连失效。因此，倒装芯片无铅凸点蠕变成为无铅封装材料亟待解决的可靠性问题之一。本项目以倒装芯片（Flip Chip）互连结构为对象，采用实验研究、模拟分析与计算、材料微观分析等方法，研究电流-热-应力耦合场中倒装芯片无铅互连凸点的蠕变规律、组织结构演变；弄清凸点互连高度及内部组织层厚度对蠕变的影响机理；建立多场耦合下的应力场、温度场数学模型，进而建立倒装芯片凸点蠕变模型，揭示其蠕变机制；为设计和评价倒装芯片凸点的抗蠕变可靠性提供理论依据。本项目研究成果对揭示微小凸点的蠕变行为有重要意义，具有较高的学术研究价值。

中文关键词： 倒装芯片；无铅凸点；蠕变；电迁移；界面反应

英文摘要：

英文关键词： Flip Chip；Lead-Free Bump；Creep；Electromigration；Interfacial Reaction