高压SiC IGBT埋岛增强型新结构与模型研究

项目名称： 高压SiC IGBT埋岛增强型新结构与模型研究

项目编号： No.61404023

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张金平

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 本项目针对制约SiC IGBT器件的基础问题开展新结构与模型的创新研究：①提出高压SiC IGBT埋岛增强型(SiC BIE-IGBT)器件新结构，所提出的结构通过埋岛引入的附加电荷的电场调制作用，屏蔽高浓度电流增强层（CEL）对器件击穿特性的影响，在获得高击穿电压的同时具有高的CEL浓度，从而增强器件漂移区内的电导调制并优化载流子浓度分布，降低器件的正向导通压降并改善器件的关断损耗特性，获得高性能的SiC IGBT器件，同时埋岛结构对JFET区电场的屏蔽作用可降低器件JFET区氧化层的电场，避免器件JFET区氧化层的击穿以及高电场下电子向栅氧化层的注入，提高器件的可靠性；②提出SiC IGBT阻断电压模型，该模型包含埋岛和CEL参数的影响，为SiC IGBT的设计提供理论指导。在此基础上，开展新结构关键制备技术的研究。本项目是一项器件物理与方法的应用基础研究，具有十分重要的意义。

中文关键词： 碳化硅；绝缘栅双极型晶体管；高压；埋岛；载流子增强层

英文摘要： Aimed at the fundamental problem of high-voltage SiC IGBT devices, a novel device structure and model are studied in this project. First, a current enhanced high-voltage SiC IGBT with buried islands (SiC BIE-IGBT) is proposed. Utilizing the electrical fie

英文关键词： silicon carbide；IGBT；high-voltage；buried island；carrier enhancenet layer