并轴II-VI/IV纳米线异质结构的电子学性质研究

项目名称： 并轴II-VI/IV纳米线异质结构的电子学性质研究

项目编号： No.11174049

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 王春瑞

作者单位： 东华大学

项目金额： 70万元

中文摘要： 并轴纳米线异质结构的电子学性质对微纳光电子器件的应用起着至关重要作用。II-VI/IV并轴异质结纳米线优良的光电性能吸引了国际、国内研究关注。本项目以II-VI中ZnSe，CdSe和IV中Si，Ge为研究对象，通过一步化学气相沉积法实现并轴II-VI(ZnSe,CdSe)/IV(Si,Ge) 纳米线异质结构的可控生长，探索生长条件、共生机理与异质结构的关联。弄清在不同生长条件下，结构变化与电子迁移运动过程的关系以及电子相干散射特性；揭示结构、表面态对纳米线异质结输运性质的影响。尝试制备II-VI（ZnSe，CdSe/IV）（Si，Ge）异质结纳米线场效应晶体管（HNWFET），测试电流与电压、电压与电容的变化关系，并与真实器件理论模型对比，揭示顶栅对提高HNWFET性能的作用。本项目不但具有重要的科学意义且有望将II-VI/IV异质结纳米线应用于构筑新型微纳光电子、电子器件以及传感器等。

中文关键词： 化学气相沉积；II-VI 并轴异质结纳米线；孪晶；电子学特性；场效应晶体管

英文摘要：

英文关键词： Chemical vapor deposition；II-VI radial heterostructural nanowires；twinning crystal；electrnoic property；field effect transistor