我国功率半导体器件技术发展现状及市场前景

上期内容：大功率IGBT模块及驱动技术

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周宏伟 博士

专家介绍

周宏伟，男，1999年获中国科学院半导体研究所半导体材料博士学位，江苏省“创新创业人才”，先后任华为技术有限公司高级工程师、摩托罗拉电子有限公司资深工程师、飞思卡尔半导体有限公司资深项目经理，华润微电子首席器件专家兼研发中心副总经理，现任龙腾半导体有限公司首席技术官兼副总经理。拥有美国发明专利1项，中国专利34项，在国内外核心期刊发表论文10余篇。制定超结金属氧化物半导体场效应晶体管行业标准规范，具有多年的功率器件（VDMOS, IGBT）设计经验并掌握核心技术。精通功率半导体分立器件的工艺开发，器件结构设计，器件特性的模拟仿真，版图、测试和应用各个方面。

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