新型InGaN量子点太阳能电池制备及相关物理问题研究

项目名称： 新型InGaN量子点太阳能电池制备及相关物理问题研究

项目编号： No.60906006

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 轻工业、手工业

项目作者： 杨翠柏

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 24万元

中文摘要： 当p-i-n型量子点电池的i层为量子点超晶格结构时，各量子阱的量子化能级通过势垒相互作用后展宽而形成微带，从而可以有效吸收三种不同能量的光子。理论计算表明，在一个标准太阳光谱条件下，该类型的量子点电池的理论光电转换效率可达46.7%，而在极限聚光条件下其理论效率更是高达63.2%。适当选择InxGa1-xN势垒层和InyGa1-yN量子点材料中的铟组分（0≤＜x≤），就能达到量子点电池理论最佳势垒/微带的带宽组合（非聚光2.36eV/0.9eV；聚光1.95eV/0.71eV），进而研制出高光电转换效率的InGaN量子点太阳能电池。通过本项目的实施，探讨量子点超晶格结构中光生载流子的输运机理，制备出高质量的InGaN量子点超晶格结构材料，并在此基础上研制出新型InGaN量子点太阳能电池原型器件，对于提高我国太阳能电池产业的竞争力、保障国家能源安全都具有极其重要的战略意义。

中文关键词： 铟镓氮；量子点；太阳能电池；；

英文摘要：

英文关键词： InGaN；quantum dot；solar cell；；