基于GaN量子点的ZnO纳米线/p-GaN薄膜异质结紫外LED的制备及其光电性能研究

项目名称： 基于GaN量子点的ZnO纳米线/p-GaN薄膜异质结紫外LED的制备及其光电性能研究

项目编号： No.61405076

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 田玉

作者单位： 江汉大学

项目金额： 25万元

中文摘要： ZnO有着较大的激子结合能使其在高效紫外发光器件方面具有重要的应用前景。基于n-ZnO/p-GaN PN结的ZnO基紫外LED的研究成为半导体材料与器件领域重要研究方向之一。然而，目前基于ZnO纳米线/p-GaN薄膜紫外LED性能并不稳定，主要原因是在ZnO纳米线和p-GaN模板接触界面处存在“死层”区域，严重限制了发光性能的提高。本项目拟在ZnO纳米线和p-GaN模板层之间插入一层GaN量子点，改善纳米线的阵列分布，有效避免“死层”的出现；完善器件工艺，制备出性能较好的ZnO纳米线/GaN异质结紫外发光二极管；并在此基础上，研究载流子输运特性和ZnO纳米线作为一种直接波导结构对GaN量子点出光效率的影响。

中文关键词： GaN 量子点；ZnO纳米线；种子层；发光器件；

英文摘要： ZnO has an important applications in ultraviolet light-emitting devices (UV-LEDs) with high efficiency due to its large exciton binding energy. UV-LEDs based on the n-ZnO/p-GaN PN junction become one of the main research direction in the field of semicon

英文关键词： GaN quantum dot；ZnO nanowire；seed layer；light emitting device；