垂直有序GaN基纳米LED阵列制备及其光机电耦合特性研究

项目名称： 垂直有序GaN基纳米LED阵列制备及其光机电耦合特性研究

项目编号： No.51402064

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 彭铭曾

作者单位： 北京科技大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 纤锌矿GaN基纳米材料具有优异的光电、压电和机械特性，针对其新颖的光机电多场耦合特性的研究与利用，将有利于促进GaN基纳米光电材料及其新型传感器件的开发和应用。本项目将采用自上而下的纳米图形化刻蚀和自下而上的MOCVD选区外延生长相结合方法，来制备形状、尺寸、密度、取向和组分可控的InxGa1-xN纳米盘嵌入式纳米LED阵列材料，深入分析材料缺陷、刻蚀损伤及钝化修复、纳米结构参数对GaN基纳米LED的光学、电学和力学特性的影响，探究外界压力/形变对GaN基纳米LED中载流子输运和光电复合过程的调控机制，并通过GaN基纳米LED压电势理论模型的建立，揭示并阐明GaN基纳米LED中的光机电多场耦合特性，最终研制出高质量、高有序的GaN基纳米LED阵列发光器件，并实现压力分布的高分辨传感成像，这将有助于促进微纳光机电系统、人机交互、消费电子、高密度信息通信、环境监测、自驱动传感等领域的应用。

中文关键词： 氮化镓基纳米结构；有序阵列；多场耦合；压力传感；高分辨成像

英文摘要： Wurtzite GaN-based nanomaterials have excellent optoelectronic, piezoelectric and mechanical performances. Accordingly, research and utilization of optical-mechanical-electronic coupling characteristics will be beneficial to development and applications o

英文关键词： GaN-based nanostructure；ordered array；multifield coupling；pressure sensing；high resolution imaging