基于纳米柱微结构的InGaN太阳能电池研究

项目名称： 基于纳米柱微结构的InGaN太阳能电池研究

项目编号： No.60976045

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 王辉

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 48万元

中文摘要： 本课题将面向制备禁带宽度为2.4～2.7 eV的高效率InGaN太阳能电池的基本科学问题，进行InGaN材料的MOCVD生长技术研究，找到外延生长高质量InGaN材料的方法和途径；研究影响InGaN材料的p型掺杂的材料机制，并实现高In组分InGaN材料的p型掺杂；研究InGaN材料中结构缺陷（位错、空位等）对电池光电转换效率的影响规律，为电池的结构设计和对材料质量的要求提供依据；同时，结合InGaN材料体系的特点，在本项目中我们首次提出一种新型的、具有纳米柱微结构的半导体太阳能电池，其特点是将太阳能电池的InGaN p-i-n结构引入到GaN纳米柱阵列中，在纳米柱的上生长包覆型太阳能电池结构，这种方法不仅可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积，而且纳米柱的引入可以显著降低半导体薄膜表面对太阳光的反射，有效避免外延薄膜中的穿透位错进入器件的主要工作区，提高器件的工作效率。

中文关键词： 太阳能电池；MOCVD；InGaN；纳米结构；

英文摘要：

英文关键词： Solar cells；MOCVD；InGaN；Nanostructure；