项目名称: 近阈值电压高速缓存的可靠性技术研究
项目编号: No.61402302
项目类型: 青年科学基金项目
立项/批准年度: 2014
项目学科: 自动化技术、计算机技术
项目作者: 王晶
作者单位: 首都师范大学
项目金额: 26万元
中文摘要: 近阈值电压技术是解决后摩尔定律时代“功耗墙”问题的有效手段之一,然而电压的降低使得高速缓存的可靠性和成品率面临严峻挑战。现有容错方案追求可靠性的同时不但牺牲高速缓存容量、增加访问延迟,而且缺乏灵活性、无法适应程序行为的动态变化。针对上述问题,本课题深入探索如下三方面的内容:针对硬错误研究逻辑高相联度高速缓存重构技术,保证可靠性的同时弥补容错机制牺牲容量所带来的性能损失;针对软错误研究基于数据存储特征的校验技术,设计分级校验保证可靠性并通过消除冗余减少容错的时空开销;针对单一容错级别无法满足不同应用程序可靠性需求的问题,研究软件定义容错能力的高速缓存结构,根据程序行为预测可靠性需求,设计支持多容错级别的高速缓存结构,提供灵活、动态的容错支持。本课题将极大改善近阈值电压技术面临的可靠性问题,并减少容错带来的性能损失。课题预期在国内外期刊和国际会议上发表6-8篇高水平论文,并申请2-3项专利。
中文关键词: 近阈值电压;高速缓存;容错;校验;计算机系统结构
英文摘要: Near-threshold voltage (NTV) computing enables transistor voltage scaling to continue with Moore's Law projection and dramatically improves power and energy efficiency. Nevertheless, reducing the supply voltage to near-threshold level significantly increa
英文关键词: Near-Threshold Voltage;Cache;Fault Tolerant;Error Correction Code;Computer Architecture