金属与锗接触界面微结构改性及势垒高度调控机理研究

项目名称： 金属与锗接触界面微结构改性及势垒高度调控机理研究

项目编号： No.61176092

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 李成

作者单位： 厦门大学

项目金额： 70万元

中文摘要： 具有高载流子迁移率的锗材料应用于集成电路最大的挑战是金属、栅介质和锗接触界面存在高的界面态密度，制约着器件(特别是nMOSFET)性能的提高。其中栅介质与锗界面已经得到广泛的研究并取得良好的效果。本项目拟系统研究金属与Ge接触界面态的产生和消除机理及其对电学特性的影响。创新性提出采用金属性纳米尺度金属氮化物（如TaN等）插层改性金属与n-Ge接触界面，进而调控其势垒高度的方法；通过对界面微结构改性的研究，从理论和实验上阐明金属与Ge接触产生界面态的机理和抑制方法，建立金属与Ge接触势垒高度调控的普适模型；基于Ge n型掺杂溶解度和激活率低的困难，研究提高n型Ge原位掺杂浓度的新方法；最后综合势垒高度调制和原位掺杂技术，制备出低比接触电阻率的金属与n型Ge的欧姆接触和n+p结，用于氧化铪环形栅Ge nMOSFET器件测试结构，探索源漏区接触电阻对Ge nMOSFET器件电学性能的作用规律。

中文关键词： 肖特基势垒调制；锗材料；表面态；锗掺杂；锗场效应晶体管

英文摘要：

英文关键词： Modulaiton of Schottky barrier height；Germanium；Surface states；doping in Ge；Ge MOSFET