集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术研究

项目名称： 集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术研究

项目编号： No.61176071

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 胡冬青

作者单位： 北京工业大学

项目金额： 50万元

中文摘要： 研究采用集电区碳注入制造内透明集电极IGBT技术。内透明集电极IGBT是一种新结构IGBT，它在传统PT-IGBT基础上、在集电区近集电结附近引入一个局域载流子寿命控制区，从而使器件由非透明变成内透明，进而在保持传统PT-IGBT制造技术成熟、易控制的优点的同时，可以获得具有透明集电区IGBT优良性能。本研究通过采用中、高剂量（10e15～10e16cm-2）碳注入及后继热退火工艺，形成一个高密度、小尺寸空位团缺陷区，该区域由于存在大量复合中心，对载流子有捕获作用，可用作内透明集电区的局域载流子寿命控制区。同时集电区注入引进的碳，不仅可捕获自间隙缺陷，降低硼杂质在硅中的扩散系数，抑制重掺杂衬底硼向集电结的推进，减小局域载流子寿命控制区到集电结的距离以及集电区表面的掺杂浓度，同时，由于硅中碳的特殊性，注入形成的缺陷在高温过程不会延伸扩展，为后继高质量外延提供保障，有利于器件综合指标的优化。

中文关键词： 内透明集电极；IGBT；碳注入；；

英文摘要：

英文关键词： Internal transparent collector；IGBT；carbon implant；；