半导体的几何增强磁电阻研究

项目名称： 半导体的几何增强磁电阻研究

项目编号： No.11234007

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 章晓中

作者单位： 清华大学

项目金额： 320万元

中文摘要： 章晓中研究组2011年9月在Nature发文报道了在半导体硅中实现了几何增强的室温低场磁电阻，该磁电阻接近商用的巨磁阻的水平，该工作受到了国际和国内学术界的好评，入选2011年度中国科学十大进展和2011年度中国高校十大科技进展。本申请是在我们前期工作的基础上，深入研究电极、非均匀性、p-n结等是如何影响硅的磁电阻，搞清楚硅基磁电阻的机理，做出一个普适的几何增强磁电阻机理。 还要研究微型化的硅基磁电阻器件，使其性能达到或超过商用巨磁阻器件的水平，甚至做出自驱动的硅基磁电阻器件。我们的前期预研表明这个几何增强磁电阻机理还可以推广到其他半导体材料，本申请将研究GaAs、Ge、InSb等半导体材料的磁电阻，争取做出具有新颖磁电功能或磁光电功能的器件。还将研究是否可将几何增强磁电阻的机理用于已有的磁性材料基的磁电阻材料，争取提升已有的磁电阻材料的性能。

中文关键词： 磁电阻；磁逻辑；自旋逻辑；半导体；磁性材料

英文摘要： Prof. Xiaozhong Zhang's group reported in Nature in September 2011 that they realised a geometrically enhanced low field magnetoresistance in Silicon at room temperature. The magnetoresistance ratio is close to the commercial giant magnetoresistance. This

英文关键词： magnetoresistance；magnetic logic；spin logic；semiconductor；magnetic material