强磁场下过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体纳米材料的研究

项目名称： 强磁场下过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体纳米材料的研究

项目编号： No.50872142

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 曾宇平

作者单位： 中国科学院上海硅酸盐研究所

项目金额： 31万元

中文摘要： 以In2O3为研究对象，系统研究强磁场对氧化物基稀磁半导体材料显微结构，相组成与磁性能的影响及其相关机理。在强磁场下，利用简单的溶剂热法和共沉淀法，通过液相合成过渡金属离子（如钴，铁）等掺杂的氧化铟纳米颗粒，通过调节前驱物的种类、浓度、溶剂，反应温度、掺杂量、pH值等参数实现对产物的形貌与微结构的调控，重点考察磁场强度、掺杂离子浓度对材料形貌和显微结构的影响。探索强磁场对铁、钴等过渡金属离子掺杂氧化铟纳米稀磁半导体材料的物相、磁性能的影响，并分析其影响机理。本项目的开展将得到一种简单、可靠的制备室温铁磁性稀磁氧化物半导体纳米晶的制备方法。对研究强磁场下无机非金属纳米功能材料的制备及强磁场对纳米材料的微结构与性能的影响有重要的科学意义。

中文关键词： 氧化铟；纳米稀磁半导体；强磁场；溶剂热；磁性能

英文摘要：

英文关键词：