内嵌量子点三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge太阳电池材料的MBE生长及器件相关问题研究

项目名称： 内嵌量子点三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge太阳电池材料的MBE生长及器件相关问题研究

项目编号： No.61176128

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 陆书龙

作者单位： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

项目金额： 62万元

中文摘要： 晶格匹配生长的三结(Al)GaInP/（In）GaAs/Ge太阳电池由于其完美的晶体材料质量，实现了41.6%的光电转换效率。但中间结InGaAs电池相对于其它两结较低的光电流密度从理论上限制了电池效率的提高。本项目基于量子点对低于中间电池材料带隙的吸收从而对光电流产生贡献这一理论基础，利用分子束外延生长方法，在传统晶格匹配的三结(Al)GaInP/（In）GaAs/Ge太阳电池结构中内嵌InGaAs量子点，通过解决量子点材料对低能光子的吸收及载流子分离，探索量子点层间耦合、量子点密度影响量子效率的物理机制，及其对太阳电池光电转换效率的影响关系，实现传统多结结构与新型量子点电池效率理论预期的有效结合，获得光电流匹配的三结电池的带隙设计和调控，从而提高其光电转换效率。项目的顺利开展，必将为未来新概念太阳电池的广泛应用提供可靠的方案和技术保障。

中文关键词： Ge衬底；分子束外延；量子点；GaInP；

英文摘要：

英文关键词： Ge substrate；MBE；quantum dot；GaInP；