大尺寸4H碳化硅晶体生长及缺陷研究

项目名称： 大尺寸4H碳化硅晶体生长及缺陷研究

项目编号： No.50972161

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 王文军

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 36万元

中文摘要： 本项目采用物理气相输运（PVT）法开展大尺寸4H碳化硅(SiC)晶体生长研究工作。研究关键生长参数对晶体扩径、结晶质量、晶体缺陷的影响规律，获得生长大尺寸、高质量4H-SiC晶体的关键生长技术。具体主要从坩埚、温度和压力三个方面进行攻关：研究适合于晶体扩径生长的坩埚，将单晶直径从3英寸扩大到４英寸，获得扩径规律；研究适于生长4英寸SiC晶体的温场设计，获得优化生长温度、温度梯度；研究生长室中氩气、氮气压力对晶体生长速度、缺陷形成的影响。此外，开展SiC晶体的缺陷、结构和物性研究。 大尺寸高质量的4H-SiC晶体是制作SiC基电力电子器件的衬底材料。但是，国内对于大尺寸高质量4H-SiC晶体生长的研究基础薄弱，PVT法生长大尺寸SiC晶体的基本规律亟待明确。本项目将为解决大尺寸4H-SiC单晶生长的关键问题打下基础。

中文关键词： 碳化硅；晶体生长；4H晶型；物理气相输运法； 缺陷

英文摘要：

英文关键词： Silicon carbide；Crystal growth；4H type；PVT method；Defect