钙钛矿氧化物薄膜的阻变机制及室温低场阻变式存储器研究

项目名称： 钙钛矿氧化物薄膜的阻变机制及室温低场阻变式存储器研究

项目编号： No.60976016

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 张伟风

作者单位： 河南大学

项目金额： 35万元

中文摘要： 阻变式存储器由于具有低操作电压、低功耗、高写入速度、耐擦写、非破坏性读取、保持时间长、结构简单、与传统CMOS工艺相兼容等优点被认为是一类具有前瞻性的下一代非挥发性存储器。然而，至今尚未明确的电阻开关机理严重制约了其进一步的研发和应用。本项目采用激光分子束外延、脉冲激光沉积等薄膜技术生长并构造基于钙钛矿氧化物薄膜的叠层结构半导体器件，利用特色的测试平台即I-V测试、电化学阻抗谱、原子力显微术、铁电测试等手段在室温、低场激励下详细研究以钙钛矿氧化物为功能层材料的单/双层结构器件的阻变和存储特性，通过对多种钙钛矿结构氧化物材料进行系统和配套研究，确定合适的、存储性能优良的电致阻变材料及器件结构，获得具有稳定的室温低场电阻开关特性的阻变式存储器，并从理论和实验上综合考虑材料能带结构、电磁输运、电子强关联作用等多种物理因素来深刻揭示阻变机理，为阻变式存储器的进一步研发和应用提供材料和基础。

中文关键词： 钙钛矿氧化物；电阻开关；物理机制；脉冲激光淀积；忆阻器

英文摘要：

英文关键词： Perovskite oxides；Resistive switching；Physical mechanisms；Pulsed laser deposition；Memristors